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J-GLOBAL ID：201802218936201018   整理番号：18A2004706

低電力で高信頼性のFe_3O_4/Ta_2O_5二層RRAMにおける導電性フィラメント進展の解明【JST・京大機械翻訳】

Revealing conducting filament evolution in low power and high reliability Fe₃O₄/Ta₂O₅ bilayer RRAM

著者 (10件)： Chang Chia-Fu (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen Jui-Yuan (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Huang Guan-Min (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin Ting-Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Tai Kuo-Lun (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Huang Chih-Yang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Yeh Ping-Hung (Department of Physics, Tamkang University, 151 Ying Chuan Road, Taipei 251, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Center for the Intelligent Semiconductor Nano-system Technology Research, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Frontier Research Center on Fundamental and Applied Sciences of Matters, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 53  ページ： 871-879  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,多結晶Fe_3O_4を用いて,Ag/Ta_2O_5/Pt抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の信頼性を改善した。Ag/Ta_2O_5/Fe_3O_4/PtとAg/Fe_3O_4/Ta_2O_5/Pt構造の両方において,これらの二層RRAMのスイッチング特性を大気と真空環境で測定した。結果は,湿度が異なる環境におけるAgフィラメント形成に影響を及ぼし,異なるシーケンスにおけるTa_2O_5とFe_3O_4界面がデバイスの性能,特に成形電圧を変化させることを示した。さらに,これらの二層RRAMのスイッチング電圧と信頼性は単層RRAM素子よりも優れており,特にAg/Fe_3O_4/Ta_2O_5/Pt素子において耐久性を著しく増加させた。また,Ag/Fe_3O_4/Ta_2O_5/Pt系における/ex-situ透過型電子顕微鏡(TEM)により,伝導性フィラメントの形状と進展を観察した。低湿度において,導電性フィラメントは低抵抗状態(LRS)における多くの弱いフィラメントから成り,そこでは,Fe_3O_4層における結晶粒界はフィラメントサイズを制限した。エネルギー分散分光分析(EDS)分析の結果は,フィラメントがAg金属から成ることを示した。本研究は,デバイスの信頼性と電力消費を改善するための二層RRAMの詳細なスイッチング知識と将来の応用におけるRRAM構造の新しい設計視点を提供した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 耐久性 ,  多結晶 ,  銀 ,  *フィラメント ,  電圧 ,  結晶粒界 ,  界面 ,  単一層 ,  電力消費 ,  *信頼性 ,  湿度 ,  スイッチング ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *ReRAM ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： RRAM ,  Ta_2O_5/Fe_3O_4二重層 ,  導電性フィラメント ,  低電力消費 ,  信頼性 ,  その場TEM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  高信頼性 ,  二層 ,  RRAM ,  導電性フィラメント ,  進展