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J-GLOBAL ID：201802219040879769   整理番号：18A1227297

端欠陥を含むグラフェンナノリボンFETの理論設計

Theoretical Design of Edge-Disordered Graphene Nanorribbon FETs

著者 (3件)： 高島健悟 (東京理科大学院工学研究科 電気工学専攻) ,  山本貴博 (東京理科大学院工学研究科 電気工学専攻) ,  山本貴博 (東京理科大学工学部 教養学科)
資料名： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
巻： 61  号： 6  ページ： 354-359(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： G0194B  ISSN： 2433-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタの典型的なゲート長に対応する,サブ100nm長の半導体端欠陥グラフェンナノリボン(ED-GNRs)における,キャリア局在化を理論的および計算的に調べた。ED-GNRsの局在長はリボン幅の二乗に比例し,端欠陥濃度に逆比例することを数値的に見出した。さらに,GNR幅と粗さ濃度に関する局在化長さの解析式を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *ナノ構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  格子欠陥 ,  表面粗さ ,  長さ ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *グラフェンナノリボン ,  半導体ナノ構造 ,  線幅粗さ ,  局在化 ,  ゲート長

著者キーワード (8件)： グラフェンナノリボン ,  エッジ障害 ,  電気伝導率 ,  Andersonの局在 ,  グラフェンナノリボン ,  エッジ障害 ,  電気伝導率 ,  Andersonの局在

分類 (2件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• 1) G.E. Moore : Electronics 38, 114 (1965).
• 2) G.E. Moore : IEDM Tech. Digest, (1975) p. 11.
• 3) 土屋英昭 : 「ナノ構造エレクトロニクス入門」, コロナ社.
• 4) K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva and A.A. Firsov : Science 306, 666 (2004).
• 5) K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos and A.A. Firsov : Nature 438, 197 (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： 端 ,  欠陥 ,  グラフェンナノリボン ,  FET ,  理論 ,  設計