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J-GLOBAL ID：201802219101329479   整理番号：18A0190826

GaNベースH EMTの小信号特性解析のための改良された可変温度モデル【Powered by NICT】

An improved variable temperature model for small-signal characteristic analysis of GaN based HEMTs

著者 (7件)： Zhang Hengshuang (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Lu Yang (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhao Ziyue (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yi Chupeng (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhu Qing (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Ma Xiaohua (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SSLChina: IFWS  ページ： 216-218  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GgsfとGgdfの要素を,初めて,それらの温度特性を調査するために従来の小信号モデルに導入した。等価回路パラメータならびにそれらの温度挙動を解析し,考察した。異なる温度条件下のアドミタンスパラメータ対周波数の虚数部を深く研究した。モデルと測定した散乱パラメータの間の良好な一致は,0.1GHzから30GHzまでの各温度で達成された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *性能分析 ,  *モデル ,  周波数 ,  回路定数 ,  虚数 ,  温度条件
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  小信号モデル ,  温度特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  EMT ,  特性解析 ,  可変 ,  モデル