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J-GLOBAL ID：201802219279330293   整理番号：18A0058560

高温MEMSデバイスのためのp型GaNへのPdAl/Au金属合金オーミック接触の電気的および界面特性

Electrical and interface properties of PdAl/Au metal alloyed ohmic contacts on p-type GaN for high-temperature MEMS devices

著者 (8件)： PUNEETHA P. T. (Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND) ,  REDDY M. Siva Pratap (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  LEE Young-Woong (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  JEONG Seong-Hoon (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  LOKANADHAM R. (Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND) ,  PARK Chinho (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  PRADEEP A. Guru (Chadalawada Ramanamma Engineering Coll., Tirupati, IND) ,  REDDY V. Rajagopal (Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 22  ページ： 16903-16909  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mgドープp型GaNへの低抵抗オーミック接触を得るために,PdAl/Au(20/30nm)金属合金を調べた。RTAでオーミック接触特性は改善される。N₂雰囲気での600°C1分のRTAで比接触抵抗(ρ_SCR)は7.82×10^-4Ωcm²になった。修正NordeとI-V測定から求めた実効Schottky障壁高さ(SBH)は互いに良く一致している。XPSとXRDから金属合金GA-PdとGa-Au界面層の形成が明らかになり,このために600°CRTAでρ_SCRが低くなっている。AFMの結果,600°CRTA後でも接触部の表面モルフォロジは平滑であり,RMSは0.714nmである。これらの結果から,PdAl/Au金属合金接触はp型GaNへのオーミック接触に有効であり,高温GaNベースMEMSデバイスに使える。

シソーラス用語： MEMS ,  *窒化ガリウム ,  パラジウム合金 ,  アルミニウム合金 ,  *Ohm接触 ,  合金 ,  界面 ,  特性 ,  *電気特性 ,  窒素 ,  雰囲気 ,  RTA【熱処理】 ,  比率 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *P型半導体
準シソーラス用語： GaN ,  MEMSデバイス ,  Schottky障壁高さ ,  アルミ合金 ,  オーミック接触 ,  *界面特性 ,  金属合金 ,  窒素雰囲気 ,  比接触抵抗 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MEMSデバイス ,  GaN ,  Au ,  金属合金 ,  オーミック接触 ,  界面特性