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J-GLOBAL ID：201802219362226131   整理番号：18A2042230

Fourier変換赤外分光法と陰極線ルミネセンス分光法の組合せによる4H-SiCエピタキシャル基板上の熱酸化物SiO_2膜における不均一性のキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of Inhomogeneity in Thermal Oxide SiO₂ Films on 4H-SiC Epitaxial Substrates by a Combination of Fourier Transform Infrared Spectroscopy and Cathodoluminescence Spectroscopy

著者 (4件)： Yoshikawa Masanobu (Toray Research Center Inc.; 3-3-7 Sonoyama,Otsu, 520-8567, Japan, Shiga) ,  Inoue Keiko (Toray Research Center Inc.; 3-3-7 Sonoyama,Otsu, 520-8567, Japan, Shiga) ,  Sameshima Junichiro (Toray Research Center Inc.; 3-3-7 Sonoyama,Otsu, 520-8567, Japan, Shiga) ,  Seki Hirohumi (Toray Research Center Inc.; 3-3-7 Sonoyama,Otsu, 520-8567, Japan, Shiga)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 273-276  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC基板上に成長させた種々の厚さのSiO_2膜のFourier変換赤外(FT-IR)と陰極線ルミネセンス(CL)スペクトルを測定した。酸化物層厚が50~60nmから10nmに減少すると,横光学(TO)フォノンモードのピーク周波数は約5cm-1だけ青方偏移した。TOモードの青方偏移は酸化物層における界面圧縮応力に起因すると考えられる。一方,酸化物層厚が10nmから1.7nmに減少すると,TOフォノンモードは劇的に減少することが分かった。CL測定は,NO_2に対する酸素空孔中心(OVCs)に起因する約460nmと490nmにおけるCLピークの強度がNO_1に対するそれよりも強くなることを示した。FT-IRとCL測定の比較から,酸化物層厚の減少に伴うTOフォノンの赤方偏移は,酸化物層厚の減少と共にSiO_2/SiC界面での不均一性の増加に主に起因すると結論した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *基板 ,  圧縮応力 ,  *キャラクタリゼーション ,  層厚 ,  周波数 ,  *赤外線 ,  赤方偏移 ,  *酸化物 ,  界面 ,  *陰極線ルミネセンス ,  青方偏移 ,  *FTIR分光法
準シソーラス用語： 横光学フォノン ,  フォノンモード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 陰極線ルミネセンス分光 ,  Fourier変換赤外分光法 ,  熱酸化物SiO_2膜 ,  4H-SiCエピタキシャル基板 ,  不均一性の特性化

分類 (5件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  表面の格子振動  (BL03060R) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (9件)： Fourier変換赤外分光法 ,  陰極線ルミネセンス ,  分光法 ,  組合せ ,  4H-SiC ,  エピタキシャル基板 ,  熱酸化 ,  不均一性 ,  キャラクタリゼーション