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J-GLOBAL ID：201802219521602100   整理番号：18A0129335

ハイブリッドPVD/PECVDプロセスによるTiドープDLC膜の合成と電気化学的性質【Powered by NICT】

Synthesis and electrochemical properties of Ti-doped DLC films by a hybrid PVD/PECVD process

著者 (9件)： Jo Yeong Ju (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Jo Yeong Ju (Global Frontier R&D Center for Hybrid Interface Materials, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Zhang Teng Fei (Global Frontier R&D Center for Hybrid Interface Materials, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Zhang Teng Fei (National Core Research Center for Hybrid Materials Solution, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Son Myoung Jun (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Son Myoung Jun (Global Frontier R&D Center for Hybrid Interface Materials, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Kim Kwang Ho (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Kim Kwang Ho (Global Frontier R&D Center for Hybrid Interface Materials, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea) ,  Kim Kwang Ho (National Core Research Center for Hybrid Materials Solution, Pusan National University, Busan, 609-735, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 433  ページ： 1184-1191  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電極応用に用いられたときの低電気伝導率と金属基板への密着性が低いことはダイヤモンド状炭素(DLC)膜の主な欠点である。本研究では,種々のTi含有量のTiドープDLC膜をハイブリッドPVD/PECVDプロセスによる金属Ti基板,PECVDは,DLC膜の堆積に用いたに合成し,PVDは,Tiドーピングに用いた。DLC膜の微細構造,接着強度,電気的および電気化学的性質に及ぼすTiドーピング比の影響を系統的に調べた。Ti含有量の増加は,Ti-DLC膜の増加した表面粗さと高い.~2.~3比をもたらした。Tiドーピング比が2.8at.%以下であった場合Ti原子は非晶質相Ti炭化物として存在し,一方Tiドーピング比は4.0at.%を超えた場合,ナノ結晶TiC相はDLC膜中に形成された。接着強度,電気抵抗率,電気化学的活性とDLC膜の可逆性はTiドーピングにより大幅に改善された。DLC膜の電気的および電気化学的性質に及ぼすTiドーピング比の影響についても検討し,最良の性能は2.8at.%のTi含有量で得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭化チタン ,  接着強さ ,  *プラズマCVD ,  微細構造 ,  電気抵抗率 ,  *電気化学 ,  電気伝導率 ,  *ドーピング ,  ダイヤモンド状炭素 ,  *DLC膜 ,  密着性 ,  ナノ結晶 ,  *チタン
準シソーラス用語： 金属基板 ,  *電気化学的特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiドープDLC ,  電気抵抗率 ,  電気化学的性質 ,  TEM ,  ハイブリッドPVD/PECVD

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： PVD ,  PECVD ,  プロセス ,  Ti ,  ドープ ,  DLC膜 ,  電気化学的性質