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J-GLOBAL ID：201802219669188683   整理番号：18A1008180

前駆体設計とプロセス調整による炭素ドープ酸化けい素の原子層堆積【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of carbon doped silicon oxide by precursor design and process tuning

著者 (6件)： Wang Meiliang (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011) ,  Chandra Haripin (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011) ,  Lei Xinjian (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011) ,  Mallikarjunan Anupama (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011) ,  Cuthill Kirk (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011) ,  Xiao Manchao (Versum Materials, Inc., 1969 Palomar Oaks Way, Carlsbad, California 92011)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 2  ページ： 021509-021509-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素ドープ酸化ケイ素の原子層蒸着のための異なる前駆体を調べた。前駆体の反応性,前駆体中のケイ素-炭素結合の数,酸化剤濃度と添加時間,および堆積温度が蒸着膜の炭素含有量に及ぼす影響を考察した。Si-CH_3によるSi-Hの置換は前駆体反応性を低下させ,サイクル当たりの膜成長(GPC)を減少させることが分かった。225°Cより高い温度では,すべての前駆体は合理的なGPCを有する酸化ケイ素膜を堆積できたが,膜中の炭素は非常に少なかった(X線光電子分光法により<1at.%)。150°Cより低い温度では,2つまたは3つのSi-CH_3基,例えば,ジメチルアミノトリメチルシランとジメチルアミノジメチルシラン,およびビス(ジメチルアミノ)ジメチルシランは,シリコン酸化物膜(GPC<0.1Å/サイクル)の堆積をほとんど示さないが,一方,ジ-iso-プロピルアミノメチルシランは,比較的高いGPCと高い炭素含有量(1~8at.%)を有する酸化ケイ素膜を堆積できた。1つのSi-CH_3ビス(ジメチルアミノ)メチルシラン(BDMAMS)によるビスアミノシラン前駆体は,DIPAMSと比較して炭素ドーピングの減少を示した。さらに,オゾン濃度は膜堆積に影響した。より低いオゾン濃度およびより短いオゾン投与時間は,より低いGPC,より高い炭素ドーピングおよびより低いフィルム湿潤エッチング速度をもたらした。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 湿潤 ,  *酸化ケイ素 ,  蒸着膜 ,  酸化膜 ,  オゾン ,  反応性 ,  *前駆体 ,  *炭素 ,  X線光電子分光法 ,  X線光電子スペクトル ,  薄膜成長 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  炭素ドーピング ,  炭素量 ,  Si-C結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 前駆体 ,  設計 ,  プロセス ,  炭素 ,  ドープ ,  酸化けい素 ,  原子層堆積