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J-GLOBAL ID：201802219669445109   整理番号：18A1242728

励起子形成界面のエンジニアリングによる効率的なCuIn_2/ZnSベース量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Efficient CuInS₂/ZnS based quantum dot light emitting diodes by engineering the exciton formation interface

著者 (8件)： Huang Xia (School of Mathematics and Physics, North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Huang Xia (College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China) ,  Yu Rongmei (College of Physics and Electronic Engineering, Nanyang Normal University, Nanyang 473061, China) ,  Yang Xingqiang (College of Physics and Electronic Engineering, Nanyang Normal University, Nanyang 473061, China) ,  Xu Xiumei (College of Physics and Electronic Engineering, Nanyang Normal University, Nanyang 473061, China) ,  Zhang Han (College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China) ,  Zhang Dandan (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou 215123, Jiangsu, China) ,  Zhang Dandan (David Geffen School of Medicine, University of California, Los Angeles 90095, United States)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 202  ページ： 339-344  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInS_2/ZnS発光層と4,4-N,N-ジカルバゾール-ビフェニル(CBP)正孔輸送層(HTL)の間に1,3,5-トリス(N-フェニルベンゾイミダゾール-2-イル)ベンゼン(TPBi,3nm)の薄い中間層を挿入することによって,量子ドット発光ダイオード(QLED)における著しく増加した効率を実現した。6.2cd/Aの最大電流効率を達成した。著者らの結果は,デバイス性能を強化することにおいて,TPBiブロッキング層のために2つの主な役割があることを明らかにした。(i)正孔蓄積界面を励起子形成領域から分離することにより,これらの蓄積した正孔によって引き起こされるQD発光の消光過程を防止し,(ii)QDからZnOへの正孔漏れを抑制する。さらに,素子性能に及ぼすQD層厚の影響も調べた。より薄いQD層を有するQLEDは,より高い輝度を有するが,より低い効率を有し,それはQD層における電子キャリア分布の変化に起因した。高性能QLEDは,電荷キャリアの注入と分布を制御することによって達成できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *界面 ,  *発光ダイオード ,  消光 ,  *発光 ,  層厚 ,  電流効率 ,  酸化亜鉛 ,  *量子ドット ,  輝度 ,  *励起子
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  中間層 ,  正孔輸送層 ,  発光層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット発光ダイオード ,  キャリア蓄積 ,  キャリア注入 ,  励起子形成領域

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 励起子 ,  界面 ,  エンジニアリング ,  ZnS ,  量子ドット ,  発光ダイオード