文献

J-GLOBAL ID：201802220595117306   整理番号：18A0159590

センサ応用のためのゲート付きラテラルバイポーラ接合トランジスタの新しい構造設計【Powered by NICT】

New Structural Design of Gated Lateral Bipolar Junction Transistor for Sensor Applications

著者 (7件)： Jeong Hyun-Min (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kwon Jin-Beom (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kwon Hyurk-Choon (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Ju-Seong (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Xu Binrui (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kwon Dae-Hyuk (Department of Electronic Engineering, Kyungil University, Kyungsan, South Korea) ,  Kang Shin-Won (School ofElectronics Engineering, College of IT Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 243-250  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,カスケード構造を持ち,従来のGLBJTs上の改善された検出性能をもたらすことをゲート付き横方向バイポーラ接合トランジスタ(GLBJT)を提案した。素子はバイポーラ接合トランジスタ(BJT)モード,金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モード,入力バイアス制御下でのハイブリッドMOSFET BJTモードで動作させることができる。デバイスはpMOSFETを用いてカスケード構造のために従来のGLBJTsのそれよりも高い相互コンダクタンスを示した。提案したデバイスで発生したカスケード効果は相互コンダクタンスを増加することが示され,二実験[pH応答とC反応性蛋白質(CRP)抗原検出]からの結果は,提案したセンサの感度は従来のGLBJTsのそれを上回ることを実証した。提案したデバイスは,pHとCRP抗原検出実験における従来のGLBJTsの感度約2.5倍を提供する。これらの結果は,提案したデバイスは,増強した感度を持ち,従来のGLBJTs法よりも良好な感度に持つより効率的なセンサを実現する可能性を示唆していることを確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *バイポーラトランジスタ ,  酸化物 ,  相互コンダクタンス ,  *センサ ,  バイアス ,  MOSFET ,  半導体 ,  *接合形トランジスタ ,  *構造設計 ,  C反応性タンパク質
準シソーラス用語： pMOSFET ,  検出能 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ゲート ,  接合トランジスタ ,  構造設計