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J-GLOBAL ID：201802220835422691   整理番号：18A0365621

Low-Temperature Deposition of SiN_x Films in SiH₄/Ar + N₂ Inductively Coupled Plasma under High Silane Dilution with Argon

著者 (7件)： OKHAPKIN A. I. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  KOROLYOV S. A. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  YUNIN P. A. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  DROZDOV M. N. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  KRAEV S. A. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  KHRYKIN O. I. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS) ,  SHASHKIN V. I. (Inst. for Physics of Microstructures, Russian Acad. of Sci., Nizhny Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 11  ページ： 1449-1452  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiH4 ,  Ar ,  N2