文献

J-GLOBAL ID：201802220874754670   整理番号：18A1472558

III族酸化物半導体を用いた深紫外線センサーの開発

Development of Deep UV Photosensor using III-VI Oxide Semiconductor

著者 (4件)： 尾沼猛儀 (工学院大 先進工) ,  山口智広 (工学院大 先進工) ,  本田徹 (工学院大 先進工) ,  CHO Jaehee (Chonbuk National Univ., KOR)
資料名： 工学院大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute of Science and Technology, Kogakuin University)
号： 25  ページ： 124-128  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： L2538A  ISSN： 1341-5786  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長,基本材料特性,及びそれらと素子性能との相関を,III-V酸化物半導体を使って機能性深UV光センサを実現するため,一貫して研究を行った。α-Ga₂O₃層の伝導率はミスト気相成長においてSnドーピングにより制御することに成功した。活性層にアンドープ層を用いて,金属-半導体-金属型ソーラーブラインド型深UV光センサで1A/Wの最高応答性が実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  光センサ ,  化学蒸着 ,  スズ ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  発光スペクトル ,  屈折率 ,  係数 ,  光学定数 ,  吸収係数 ,  MBE成長 ,  ミストCVD ,  酸化物半導体 ,  *紫外線センサ
準シソーラス用語： 消衰係数

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： III族 ,  酸化物半導体 ,  深紫外線 ,  センサー ,  開発