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J-GLOBAL ID:201802221015056745   整理番号:18A0728880

二重レンズ電子ホログラフィーと走査型静電容量顕微鏡によるホットキャリアストレスデバイスの接合プロファイリング【JST・京大機械翻訳】

Junction profiling on hot carrier stressed device by dual lens electron holography and scanning capacitance microscopy
著者 (8件):
資料名:
巻: 2018  号: IWJT  ページ: 1-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ホットキャリア応力は,半導体製造プロセスにおけるCMOSデバイス信頼性のためのキーパラメータの1つである。電子ホログラフィーと走査型静電容量顕微鏡を用いて,ホットキャリア応力と無応力デバイスの接合をマップした。応力中のドーパントの不活性化(または運動)を示す非応力デバイスと比較して,接合の非対称性を観測した。これはゲート酸化物損傷を引き起こす応力の間のゲート酸化物へのキャリア注入の初期提案メカニズムとは反対である。この観察に基づいて,ホットキャリア応力から放出された水素原子がドレイン側のリンドーパントを脱活性化し,低い駆動電流を引き起こすことを提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡 

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