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J-GLOBAL ID：201802221291078932   整理番号：18A0551652

プラズマアシスト蒸着法による銀酸化物薄膜の形成

Silver Oxide Films Fabricated by Plasma Assisted Deposition

著者 (1件)： 一戸隆久 (東京工業高等専門学校電子工学科)
資料名： 表面と真空  (Vacuum and Surface Science)
巻： 61  号： 3  ページ： 172-176(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： G0194B  ISSN： 2433-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化銀(Ag₂O)は狭いバンドギャップ(1.2eV)のp型半導体として知られている。酸素の脱離により200°Cを超える熱処理では酸化物が還元されるため,酸化膜の形成にはより低温のプロセスが必要である。本報では,基板バイアス電圧(V_s)を印加した反応性プラズマアシスト蒸着法を用いて,低温での銀酸化膜形成について報告する。XRD分析によると,低い酸素分圧環境でのバイアスフリー蒸着により銀薄膜が成膜され,一方,高い酸素分圧ではAg₂OとAgとの混合薄膜が形成される。高い酸素分圧環境では,基板バイアスの印加により銀は酸化して,V_s=-20V,および-40Vを印加したときAg₂O薄膜が形成される。n/n⁺-Si上に成膜した酸化銀薄膜のデバイス構造は,良好な整流I-V曲線と0.25Vの拡散電位を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *酸化銀 ,  *薄膜 ,  分圧 ,  バイアス
準シソーラス用語： *プラズマアシストCVD ,  酸素分圧 ,  基板バイアス

著者キーワード (10件)： thin films ,  silver oxide ,  reactive plasma assisted deposition ,  multi capillary ,  ion-assist ,  thin films ,  silver oxide ,  reactive plasma assisted deposition ,  multi capillary ,  ion-assist

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (14件)：

• 1) H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, H. Hosono and N. Hamada : J. Appl. Phys. 88, 4159 (2000).
• 2) S.B. Rivers, G. Bernhardt, M.W. Wright, D.J. Frankel, M.M. Steeves and R.J. Lad : Thin Solid Films 515, 8684 (2007).
• 3) U.K. Barik, S. Srinivasan, C.L. Nagendra and A. Subrahmanyam : Thin Solid Films 429, 129 (2003).
• 4) X.Y. Gao, S.Y. Wang, J. Li, Y.X. Zheng, R.J. Zhang, P. Zhou, Y.M. Yang and L.Y. Chen : Thin Solid Films 455-456, 438 (2004).
• 5) A.A. Schmidt, J. Offermann and R. Anton : Thin Solid Films 281-282, 105 (1996).

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  アシスト ,  蒸着 ,  銀酸化物 ,  薄膜