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J-GLOBAL ID：201802221300493170   整理番号：18A0197618

GaAs PHEMTによって構築された低雑音増幅器のバーンアウト効果に関するマイクロ波パルスパラメータの影響【Powered by NICT】

Influence of microwave pulse parameters on the burnout effect of an LNA constructed by a GaAs PHEMT

著者 (2件)： Yi Shipeng (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Du Zhengwei (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EMC-Beijing  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaAs PHEMTにより構成された低雑音増幅器(LNA)のバーンアウト効果に及ぼすマイクロ波パルスパラメータの影響を解析した。バーンアウト機構解析とシミュレーション検証を通して,研究したLNAにおけるGaAs PHEMTの脆弱スポットはゲートの下の,また波源付近である。パルス幅,パルス繰返し周波数(PRF)とパルス数の影響をシミュレーションにより解析した。結果は,単一ショットマイクロ波パルスのための,パルス幅の増加バーンアウトパワーしきい値を減少させることができることを示した;反復マイクロ波パルスのための,パルス幅を増加させ,他の条件が変わらない場合PRFとパルス数はすべてをバーンアウトパワーしきい値を減少させることができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  粒状材 ,  *バーンアウト ,  *ヒ化ガリウム ,  パルス幅 ,  波源 ,  シミュレーション ,  *パルス ,  *低雑音増幅器
準シソーラス用語： パルス数 ,  繰返し周波数 ,  脆弱性 ,  機構解析 ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  PHEMT ,  構築 ,  低雑音増幅器 ,  バーンアウト ,  マイクロ波 ,  パルス ,  パラメータ