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J-GLOBAL ID：201802221569651198   整理番号：18A1208230

有機金属気相エピタクシーにより成長させた歪補償GaAs_0.965Bi_0.035/GaAs_0.75P_0.25多重量子井戸を用いた単一接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Single junction solar cell employing strain compensated GaAs_0.965Bi_0.035/GaAs_0.75P_0.25 multiple quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy

著者 (6件)： Kim Honghyuk (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Kim Kangho (Department of Electronic Engineering, Ajou University, Suwon 443-749, South Korea) ,  Guan Yingxin (Department of Material Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Lee Jaejin (Department of Electronic Engineering, Ajou University, Suwon 443-749, South Korea) ,  Kuech Thomas F. (Department of Chemical and Biological Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Mawst Luke J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 25  ページ： 251105-251105-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ベース領域として30周期と50周期のGaAs_0.965Bi_0.035/GaAs_0.75p_0.25(Eg~1.2eV)多重量子井戸(MQW)を用いた単一接合太陽電池を,金属有機気相エピタクシーにより成長させた。室温光ルミネセンス測定は1.18eVにピークスペクトル発光を示し,作製した素子から測定した外部量子効率のスペクトル依存性はGaAsに比べて拡張吸収端を示した。50周期MQW構造を用いた反射防止被覆を持つ作製した素子は,AM1.5直接照射下で,ベース領域の30周期MQW構造を用いた素子と比較して,変換効率が23%改善,開回路電圧が4%,短絡電流密度が9%,充填因子が9%であった。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反射防止膜 ,  *接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  *多重量子井戸 ,  *MOCVD ,  *太陽電池 ,  発光 ,  吸収端
準シソーラス用語： 充填率 ,  短絡電流密度 ,  開回路電圧 ,  変換効率 ,  スペクトル依存性 ,  外部量子効率 ,  *歪補償 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  歪補償 ,  多重量子井戸 ,  太陽電池