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J-GLOBAL ID：201802221709084740   整理番号：18A0710223

二重共鳴同時発振器【JST・京大機械翻訳】

Dual-resonance concurrent oscillator

著者 (4件)： Jang Sheng-Lyang (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Kang Chih-Chiang (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Wang Huan-Chun (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan, ROC) ,  Juang Miin-Horng (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan, ROC)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 83  ページ： 208-215  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいデュアルバンドCMOSクラスC電圧制御発振器(VCO)を研究した。この発振器は,2対の容量性交差結合nMOSFETを有するシャントにおける二重共鳴LC共振器から構成されている。提案した発振器をTSMC 0.18μm CMOS技術で実装し,二つの周波数帯をもつ周波数同調範囲を示し,小さな同調ヒステリシスを測定した。発振器は,2.4GHzと6.9GHzで差動信号を発生させることができ,また,周波数同調ヒステリシスを伴うバイアスの周りに回路がバイアスされる間,同時周波数振動を発生させることができる。V_DD=1.1Vの供給電圧で,発振器のVCOコア電流と電力消費は,それぞれ2.90mAと3.19mWである。クラスC発振器のダイ面積は0.9×0.97mm2である。過電圧ストレスを発振器に適用し,測定により,同時発振が過電圧ストレスに敏感であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数帯 ,  電流 ,  電力消費 ,  バイアス ,  ヒステリシス ,  共振器 ,  *二重共鳴 ,  同調 ,  周波数 ,  VCO【発振器】 ,  *発振器
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  周波数同調 ,  交差結合 ,  デュアルバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 0.18μm CMOS ,  二重帯域クラスC発振器 ,  同時発振 ,  過電圧ストレス

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二重共鳴 ,  発振器