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J-GLOBAL ID：201802221767604711   整理番号：18A2107389

γ線検出器用のCd_0.9Zn_0.1Teの結晶成長と特性評価:熱刺激電流(TSC),電子ビーム誘起電流(EBIC)およびパルス高さ分光法(PHS)【JST・京大機械翻訳】

Crystal Growth and Characterization of Cd_0.9Zn _0.1Te for Gamma-Ray Detectors: Thermally Stimulated Current (TSC), Electron Beam Induced Current (EBIC), and Pulse Height Spectroscopy (PHS)

著者 (3件)： Oner Cihan (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, 29208, USA) ,  Chowdhury Towhid A. (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, 29208, USA) ,  Mandal Krishna C. (Electrical Engineering Department, University of South Carolina, Columbia, SC, 29208, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSS/MIC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cd_0.9Zn_0.1Te(CZT)検出器グレード結晶を,低温テルル溶媒成長法を用いて,自家ゾーン精製Cd,Zn,およびTe(7N)前駆体材料から成長させた。これらの結晶は,南カロライナ大学(USC)の著者らの結晶成長実験室に設計され,設置された高温垂直炉を用いて成長させた。炉は直径8インチまで成長できる。この結晶成長装置のために,カスタムエレクトロニクスを用いた特注の引抜きとアンプル回転を開発した。CZT結晶は,CZT(1092°C)の融解温度より低い成長温度をもつ溶媒として過剰Teを用いて成長させ,成長したCZTインゴットのIR透過マップを通して,テルル介在物を特性化した。成長したインゴットからの結晶を電気抵抗率に対するI-V測定により処理し,特性化し,欠陥準位を熱刺激電流(TSC)と電子ビーム誘起電流(EBIC)測定により評価し,パルス高さスペクトル測定を~241Am(60keV)と137Cs(662keV)線源を用いて行った。この研究は,この低温Te-溶媒法を用いた高品質核検出器グレードCZT結晶成長を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶成長 ,  介在物 ,  電子技術 ,  *キャラクタリゼーション ,  電気抵抗率 ,  *結晶 ,  テルル ,  *電子線誘起電流 ,  *パルス ,  低温 ,  欠陥準位 ,  インゴット ,  *電子ビーム ,  *電流 ,  高温

分類 (5件)： 符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (12件)： γ線検出器 ,  結晶成長 ,  特性評価 ,  熱刺激電流 ,  TSC ,  電子ビーム ,  誘起 ,  EBIC ,  パルス ,  高さ ,  分光法 ,  PHS