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J-GLOBAL ID：201802221778581010   整理番号：18A0722195

ステップ傾斜電子注入器を用いた増強InGaN/GaN発光ダイオードのための二段階不動態化【JST・京大機械翻訳】

Two-step passivation for enhanced InGaN/GaN light emitting diodes with step graded electron injectors

著者 (13件)： Sheremet V. (Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey) ,  Genc M. (Optoelectronic R&D Center, Ermaksan, Bursa, 16065, Turkey) ,  Gheshlaghi N. (Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey) ,  Elci M. (Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey) ,  Sheremet N. (Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey) ,  Sheremet N. (Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, 03680, Ukraine) ,  Aydinli A. (Advanced Research Laboratories, Department of Physics, Bilkent University, Ankara, 06800, Turkey) ,  Aydinli A. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Uludag University, Bursa, 16059, Turkey) ,  Altuntas I. (Department of Nanotechnology Engineering, Cumhuriyet University, Sivas, 58140, Turkey) ,  Ding K. (Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA) ,  Avrutin V. (Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA) ,  OEzguer UE. (Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA) ,  Morkoc H. (Department of Electrical and Computer Engineering, School of Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284-3068, USA)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 113  ページ： 623-634  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二段階不動態化によるステップ傾斜電子注入器によるInGaN/GaNベース発光ダイオード性能の増強を報告した。通常のSi_3N_4誘電体表面不動態化に加えて,ICPメサエッチング直後のSiO_2によるLEDダイスの周辺不動態化は,順方向バイアス下での短絡電流の減少と同様に,逆バイアス漏れ電流の減少をもたらした。二段階不動態化による漏れ電流の緩和は,従来の単一ステップ表面不動態化と比較して,LEDの放射強度を2倍以上増大させた。さらに,Si_3N_4不動態化層のマイクロドームパターン化表面は,LEDからの増強された光抽出を可能にした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 放射強度 ,  バイアス ,  漏れ電流 ,  誘電体 ,  パターン形成 ,  *不動態化 ,  短絡電流 ,  *発光ダイオード ,  *注射器 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： *電子注入 ,  逆バイアス ,  表面不動態化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 発光ダイオード ,  ステップ傾斜電子注入器 ,  パッシベーション ,  InGaN/GaN多重量子井戸 ,  Si_3N_4

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子注入 ,  増強 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  段階 ,  不動態化