文献
J-GLOBAL ID：201802221857492118   整理番号：18A0227642

A vacancy-modulated self-selective resistive switching memory with pronounced nonlinear behavior

著者 (4件)：
MA Haili

MA Haili について

(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)

Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN について

, 
FENG Jie

FENG Jie について

(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)

Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN について

, 
GAO Tian

GAO Tian について

(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)

Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN について

, 
ZHU Xi

ZHU Xi について

(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)

Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN について


資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)

Applied Physics. A. Materials Science & Processing について


巻： 123  号： 12  ページ： 730,1-7  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

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