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J-GLOBAL ID:201802221868722910   整理番号:18A2207107

被覆液晶溶媒中で光配向膜上に成長させた単結晶C8-BTBTのトランジスタ特性

Transistor Characteristics of Single Crystalline C8-BTBT Grown in Coated Liquid Crystal Solution on Photo-Alignment Films
著者 (4件):
資料名:
巻: E101.C  号: 11  ページ: 884-887(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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液晶を用いて溶媒被覆法によるベンゾチエノベンゾチオフェンベースの有機半導体の単結晶成長を検討し,その電気的特性を調査した。その結果,飽和領域における平均移動度が結晶のb軸方向で2.08cm2/Vs,結晶のa軸方向で1.08cm2/Vsに達することを明らかにした。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜 
物質索引 (1件):
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引用文献 (12件):
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