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J-GLOBAL ID：201802221941423149   整理番号：18A0972056

多中空VHF SiH_4/H_2プラズマの二次元シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional simulations of multi-hollow VHF SiH₄/H₂ plasma

著者 (4件)： Su Li-Wen (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-85802, Japan) ,  Chen Weiting (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-85802, Japan) ,  Uchino Kiichiro (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-85802, Japan) ,  Kawai Yoshinobu (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-85802, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 2  ページ： 025316-025316-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 流体モデルを用いた二次元シミュレーションにより,20Paの圧力において三極多中空VHF SiH_4/H_2プラズマ(60MHz)を調べた。本研究では,プラズマ特性に及ぼす反応速度定数SiH_3+SiH_3→SiH_2+SiH_4の影響を考察した。低電子温度の高電子密度の典型的VHFプラズマを二つの放電電極間で得た。SiH_3+,SiH_2+,SiH_3-およびSiH_3密度の空間プロファイルは電子密度のそれと類似していたが,電子温度は2つの放電電極の近くで最大値を有した。SiH_3ラジカル密度は基板の近くで急速に減少せず,電子温度は1eVより低いことが分かった。このことは,トリオド多重中空プラズマ源が高品質の非晶質シリコンを高い堆積速度で提供できることを示唆している。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子温度 ,  アモルファスシリコン ,  堆積速度 ,  反応速度定数 ,  *プラズマ ,  電子密度 ,  プラズマ源 ,  *シミュレーション ,  多重化 ,  *二次元 ,  高速度
準シソーラス用語： ラジカル密度 ,  VHFプラズマ ,  プラズマ特性 ,  流体模型 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  プラズマ生成・加熱  (BJ02060E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中空 ,  VHF ,  プラズマ ,  シミュレーション