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J-GLOBAL ID：201802222024279442   整理番号：18A0194121

3D NANDフラッシュメモリの重イオン及び陽子誘起シングルイベントアップセット特性【Powered by NICT】

Heavy Ion and Proton-Induced Single Event Upset Characteristics of a 3-D NAND Flash Memory

著者 (7件)： Chen Dakai (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA) ,  Wilcox Edward (ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA) ,  Ladbury Raymond L. (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA) ,  Seidleck Christina (ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA) ,  Kim Hak (ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA) ,  Phan Anthony (ASRC Space and Defense, Inc., Seabrook, MD, USA) ,  LaBel Kenneth A. (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 1  ページ： 19-26  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D NANDフラッシュのための重イオンおよび陽子照射の影響を評価した。3D NANDは多重レベルセル(MLC)貯蔵モードで同一密度の平面NANDに類似したシングルイベントアップセット(SEU)感度を示した。3D NANDは単一レベル細胞貯蔵モードで有意に減少したSEU感受性を示した。添加では,3D NANDは平面NAND以下多重ビットアップセット感受性を示し,全体的なバイトと小さい断面積当たりのアップセットビットの少数であった。しかし,三次元構造は両塩基・顔面角の角度感度を示し,空間におけるSEU脆弱性の異方性を反映している。さらに,SEU断面積は3D NANDとミクロン16nmプレーナNAND,典型的な重イオン試験フルエンスは宇宙ミッション中のアップセット率を過小評価することを示唆し,フルエンスの増加と共に減少した。これらのユニークな特性は,従来の地上照射試験手順に複雑さを導入した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フルエンス ,  照射試験 ,  多重化 ,  宇宙空間 ,  *三次元 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  断面積 ,  感受性 ,  陽子照射 ,  異方性 ,  *重イオン ,  *陽子
準シソーラス用語： 脆弱性 ,  多重ビットアップセット ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  NANDフラッシュメモリ ,  重イオン ,  陽子 ,  誘起 ,  シングルイベントアップセット