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J-GLOBAL ID：201802222160205344   整理番号：18A1876297

多層ジルコニウムジスルフィドフレークに基づく二硫化ジルコニウム単結晶と薄膜トランジスタの合成とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Characterization of Zirconium Disulfide Single Crystals and Thin-Film Transistors Based on Multilayer Zirconium Disulfide Flakes

著者 (5件)： Shimazu Yoshihiro (Department of Physics, Yokohama National University, Hodogaya 79-5, Yokohama, 240-8501, Japan) ,  Fujisawa Yutaro (Department of Advanced Materials Chemistry, Yokohama National University, Hodogaya 79-5, Yokohama, 240-8501, Japan) ,  Arai Kensuke (Department of Physics, Yokohama National University, Hodogaya 79-5, Yokohama, 240-8501, Japan) ,  Iwabuchi Tatsuya (Department of Physics, Yokohama National University, Hodogaya 79-5, Yokohama, 240-8501, Japan) ,  Suzuki Kazuya (Department of Advanced Materials Chemistry, Yokohama National University, Hodogaya 79-5, Yokohama, 240-8501, Japan)
資料名： Chemnanomat Chemistry of Nanomaterials for Energy, Biology  (Chemnanomat Chemistry of Nanomaterials for Energy, Biology)
巻： 4  号： 10  ページ： 1078-1082  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2531A  ISSN： 2199-692X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループIVB遷移金属ジカルコゲナイドのZrS_2の単結晶を化学気相輸送法により合成した。Raman分光法,X線回折,X線光電子分光法,エネルギー分散X線分光法により,結晶を特性化した。チャネル材料として剥離多層ZrS_2フレークを用いて,Si基板上に電界効果トランジスタを作製した。約200のオン/オフ比をもつnチャネル特性を観測し,電界効果移動度を推定した。移動曲線における大きなヒステリシスと時間依存ドレインからソース電流は,ZrS_2/SiO_2界面における電荷捕獲中心に起因することができた。これらの結果は,界面の重要性とナノ電子デバイスのための新しい2D材料としてのZrS_2の潜在的適用性を意味する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  時間依存性 ,  *ジルコニウム ,  X線光電子スペクトル ,  FET【トランジスタ】 ,  *ジスルフィド ,  *単結晶 ,  X線回折 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流 ,  界面 ,  *フレーク ,  ヒステリシス ,  チャネル ,  *硫化 ,  *多層

著者キーワード (5件)： 二硫化ジルコニウム ,  2D材料 ,  電界効果トランジスタ ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  層状半導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  硫化 ,  ジルコニウム ,  単結晶 ,  薄膜トランジスタ ,  キャラクタリゼーション