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J-GLOBAL ID：201802222457504950   整理番号：18A1782084

KuおよびKバンドにおける広帯域0.18μm SiGe BiCMOS電力増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a wideband 0.18-μm SiGe BiCMOS power amplifier in Ku and K bands

著者 (3件)： Hsiao Meng-Jie (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas) ,  Kim Kyoungwoon (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas) ,  Nguyen Cam (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M University, Texas)
資料名： Microwave and Optical Technology Letters  (Microwave and Optical Technology Letters)
巻： 60  号： 10  ページ： 2392-2397  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0712A  ISSN： 0895-2477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16.5から25.5GHzまで動作する新しい広帯域0.18μm SiGe BiCMOS電力増幅器(PA)を示した。PAは駆動増幅器と集中素子Wilkinson電力分割器と結合器を通して集積された2つの主増幅器から成る。PAは,良好な利得,出力,電力支援効率(PAE),および線形性を達成するために,NMOSボディを浮遊させることに加えて,カスコードトポロジーにおけるHBTとNMOS特性の両方の利点を利用する。開発したPAは18.5~20.8dBmの比較的平坦な飽和出力(P_すわった),15.1~18.1dBmの出力1dBの圧縮点(OP1dB),13.5~23%の最大PAE,16.5~25.5GHzの範囲で19.5±1.5dBの利得を有した。24GHzにおいて,PAは,それぞれ,P_すわった,OP1dB,最大PAE,および20.8dBm,18.1dBm,23%,および20dBの利得を達成した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  *増幅器 ,  *電力 ,  結合器 ,  *電力増幅器 ,  線形性 ,  利得 ,  *広帯域 ,  NMOS構造 ,  パワーデバイダ ,  *BiCMOS ,  *CMOS
準シソーラス用語： カスコード ,  *Kバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiCMOS ,  CMOS ,  電力増幅器(PA) ,  RFIC ,  広帯域増幅器

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ku ,  Kバンド ,  広帯域 ,  SiGe ,  BiCMOS ,  電力増幅器 ,  設計