文献

J-GLOBAL ID：201802223011814154   整理番号：18A0027345

56nm SOI CMOSによるカスコードMOSFETのための新しい適応バイアス回路を有する28GHzバンド高線形電力増幅器【Powered by NICT】

A 28-GHz band highly linear power amplifier with novel adaptive bias circuit for cascode MOSFET in 56-nm SOI CMOS

著者 (3件)： Sato Hiroya (The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Yanagisawa Masao (The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Yoshimasu Toshihiko (The Graduate School of Fundamental Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,次世代無線通信のためのカスコードMOSFETのための適応バイアス回路を有する高度に線形28GHzバンドSOI CMOS電力増幅器を紹介した。電力増幅器はカスコードMOSFET,適応バイアス回路と入力と出力整合回路から構成されている。電力増幅器は,19.2dBmのシミュレーション出力P1dB(1dB利得圧縮点)と39.0%のPAEを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *電力増幅器 ,  無線伝送 ,  整合器 ,  *線形性 ,  *MOSFET ,  利得 ,  *CMOS
準シソーラス用語： *バイアス回路 ,  *カスコード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOI ,  CMOS ,  カス ,  MOSFET ,  適応 ,  バイアス回路 ,  バンド ,  線形 ,  電力増幅器