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J-GLOBAL ID：201802223128112129   整理番号：18A1482261

(1010)サファイア上にスパッタした非極性(1010)AlN層の高温熱アニーリング【JST・京大機械翻訳】

High-temperature thermal annealing of nonpolar (10 1 0) AlN layers sputtered on (10 1 0) sapphire

著者 (6件)： Dinh Duc V. (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Hu Nan (School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Pristovsek Markus (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 498  ページ： 377-380  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： m面サファイア上に直接スパッタした非極性(1010)m面AlN層の高温での熱アニーリングを調べた。層の結晶性はアニーリング温度の上昇と共に増加した。[0001]/[1120]_AlNに沿った対称(1010)X線ロッキング曲線の半値全幅は約3.5/2.0°から0.24/0.19°に減少した。アニール層の基底積層欠陥の密度は約1×10~5から~5×10~3cm-1に減少することが分かった。アニールされた層は,それらのより良い結晶性と構造秩序のために,スパッタされたままの層よりも大きな光学的バンドギャップエネルギーを有していた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *サファイア ,  基底 ,  FWHM ,  ロッキングカーブ ,  結晶度 ,  X線 ,  *非極性 ,  積層欠陥 ,  対称性 ,  結晶形態 ,  *高温 ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1 結晶形態 ,  A1 再結晶 ,  A3 物理的VAPOUR堆積プロセス ,  A3 固相エピタクシー ,  B1 窒化物 ,  B2 半導性アルミニウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  スパッタ ,  非極性 ,  AlN ,  熱アニーリング