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J-GLOBAL ID：201802223171127774   整理番号：18A2041819

AIGAN/GaN界面における「シート」電荷濃度の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the “Sheet” Charge Concentration at the AIGaN/GaN Interface

著者 (5件)： Awaah Michael A. (CSET/CHSS, Grand Canyon University, Faculty Member, 3300 W. Camelback Road Phoenix, AZ, 85017) ,  Awaah Isibhakhomen (Senior Process Engineer, 3320 E Yellowstone Place, Chandler, Arizona, 85249) ,  Akpa Okechukwu (Senior Process Engineer, 3320 E Yellowstone Place, Chandler, Arizona, 85249) ,  Obahiagbon Uwadiae (Electrical Engineering Dent., Arizona State University, Graduate Student, Tempe, AZ, 85281) ,  Aganah Kennedy (Department of Electrical Engineering, Tuskegee University, Assistant Professor, Tuskegee, Al, 36088)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： PowerAfrica  ページ： 67-72  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al_0.2Ga_0.8N/GaN界面の電気的キャラクタリゼーションを解析した。ドープしたAl_0.2Ga_0.8N/GaN構造のキャラクタリゼーションは,パワーエレクトロニクスと太陽電池デバイス設計者のための有用な情報を提供する。Al_0.2Ga_0.8N/GaN界面に存在する圧電的に誘起された電荷により,-1.1×1013cm2のシートキャリア密度を観測した。0.27eVの伝導帯オフセットを報告した。アニールされたOhm「背面接触」を持つヘテロ接合高電子移動度トランジスタ(HEMT)のゲート素子を代表するNi/AIGaN/GaN整流ダイオード試験構造を作製し,その結果,主伝導機構は熱電子放出であることを示し,整流ダイオードに対する比接触抵抗率は2.0×10~3Ωcm2,障壁高さは-1.1eVであった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 圧電気 ,  オフセット ,  ヘテロ接合 ,  ドーピング ,  伝導バンド ,  *電荷 ,  キャリア密度 ,  HEMT ,  キャラクタリゼーション ,  太陽電池 ,  *界面 ,  パワーエレクトロニクス ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  デバイス設計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  界面 ,  電荷 ,  解析