Tokuda Y. について
DENSO CORPORATION, 500-1 Minamiyama, Komenoki, Nisshin, Aichi 470-0111, Japan について
Kamata I. について
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan について
Miyazawa T. について
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan について
Hoshino N. について
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan について
Kato T. について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Okumura H. について
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan について
Kimoto T. について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan について
Tsuchida H. について
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan について
Journal of Applied Physics について
高温 について
焼なまし について
結晶 について
ケイ素 について
窒素 について
炭化ケイ素 について
温度依存性 について
濃度依存性 について
ドーピング について
部分転位 について
化学蒸着 について
積層欠陥 について
滑り速度 について
エピタキシャル層 について
窒素ドーピング について
半導体の格子欠陥 について
アニーリング について
窒素ドープ について
SiC について
積層欠陥 について
膨張 について
Si について
コア について
部分転位 について
滑り速度 について