文献

J-GLOBAL ID：201802223261011576   整理番号：18A1353576

高温アニーリング中の高窒素ドープSiCにおける二重Shockley積層欠陥膨張に対するSiコア部分転位の滑り速度【JST・京大機械翻訳】

Glide velocities of Si-core partial dislocations for double-Shockley stacking fault expansion in heavily nitrogen-doped SiC during high-temperature annealing

著者 (8件)： Tokuda Y. (DENSO CORPORATION, 500-1 Minamiyama, Komenoki, Nisshin, Aichi 470-0111, Japan) ,  Kamata I. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Miyazawa T. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Hoshino N. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Kato T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Okumura H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan) ,  Kimoto T. (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Tsuchida H. (Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 2  ページ： 025705-025705-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約1000°Cの高温における重い窒素ドープ4H-SiC結晶における二重Shockley積層欠陥(DSFs)の膨張に対する30°Siコア部分転位の滑り速度を調べた。化学蒸着により成長させた重ドープエピ層を引き続いてアニールした。高ドープエピ層におけるDSFsの膨張を光ルミネセンス(PL)イメージング技術により追跡した。各アニーリング処理後に得られたPL画像から,30°Siコア部分転位の滑り速度を推定した。特に,転位速度の温度依存性と窒素濃度依存性を得た。速度に及ぼす境界転位の歪エネルギーの影響も報告した。実験結果に基づいて,転位すべりの定量的表現を検討した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高温 ,  *焼なまし ,  結晶 ,  *ケイ素 ,  *窒素 ,  *炭化ケイ素 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  *ドーピング ,  *部分転位 ,  化学蒸着 ,  *積層欠陥 ,  *滑り速度
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： アニーリング ,  窒素ドープ ,  SiC ,  積層欠陥 ,  膨張 ,  Si ,  コア ,  部分転位 ,  滑り速度