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J-GLOBAL ID：201802223430083740   整理番号：18A0799327

バルクGeの衛線および歪バンドギャップ遷移:準粒子準位に対する擬ポテンシャル近似の影響【JST・京大機械翻訳】

Satellite valleys and strained band gap transition of bulk Ge: Impact of pseudopotential approximations on quasiparticle levels

著者 (3件)： Greene-Diniz G. (Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom) ,  Abreu J.C. (Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom) ,  Gruening M. (Atomistic Simulation Centre, Queens University Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland, United Kingdom)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 149  ページ： 115-124  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪Geの電子構造の第一原理研究を,自己エネルギーへのGW近似と結合した平面波擬ポテンシャル密度汎関数理論(DFT)の枠内で行った。一連の擬ポテンシャル近似に対する高対称準粒子ギャップの変化の系統的研究を行った。準粒子補正は少なくとも擬ポテンシャル生成スキーム,コア-原子価相互作用のレベル,擬ポテンシャル電子配置に対するDFT近似の選択に敏感であることが分かった。後者は,伝導谷での準粒子補正に含まれる交換と相関項の大きさがバンド構造のそれらの領域における軌道の配置によって大きく決定されるので,バンドギャップ遷移歪の予測において決定的である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *衛線 ,  *バンドギャップ ,  自己エネルギー ,  *ゲルマニウム ,  原子価 ,  対称性 ,  *近似法 ,  *準粒子 ,  平面波 ,  密度汎関数法 ,  相互作用 ,  第一原理
準シソーラス用語： GW近似 ,  *擬ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (12件)： 密度汎関数理論(DFT) ,  GW近似 ,  擬ポテンシャル ,  準粒子エネルギー ,  ab initio ,  第一原理計算 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  ゲルマニウム ,  電子構造 ,  原子軌道 ,  帯域構造

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (9件)： バルク ,  Ge ,  衛線 ,  歪 ,  バンドギャップ ,  遷移 ,  準粒子 ,  擬ポテンシャル ,  近似