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J-GLOBAL ID：201802223492376111   整理番号：18A0860842

Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける閾値電圧シフトと界面/境界捕獲機構【JST・京大機械翻訳】

Threshold voltage shift and interface/border trapping mechanism in Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTs

著者 (9件)： Zhu Jiejie (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hou Bin (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Chen Lixiang (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhu Qing (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yang Ling (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhou Xiaowei (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Peng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Ma Xiaohua (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： P-WB.1-1-P-WB.1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： しきい値電圧不安定性(Vth)はGaN系金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)の素子信頼性に対する重要な問題である。界面トラッピング効果によって引き起こされた過渡電圧シフトと同様に,Al_2O_3/AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける保持電圧シフトも,本論文において実証された。それは,境界トラッピング効果に起因した。界面トラッピングは低ゲート電圧で支配的であり,過渡電圧シフトは5V以上のゲート電圧で飽和(~1.2V)する傾向があった。界面トラップ(約3~12cm-2)が完全に満たされた後に,長い放出時間定数をもつ境界トラッピングが顕著になり,8V以上の保持的正電圧シフトをもたらした。低電界放出に加えて,高電界電子トンネリングの境界デトラッピング機構を提案し,オフ状態高電圧掃引後のV_th回復により証明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *捕獲 ,  酸化物 ,  *窒化ガリウム ,  半導体 ,  *電圧変動 ,  信頼性 ,  電界放出 ,  *界面 ,  *HEMT ,  不安定性
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  ゲート電圧 ,  トラッピング ,  *閾値電圧 ,  *閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT ,  閾値電圧シフト ,  界面 ,  境界 ,  捕獲