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J-GLOBAL ID：201802223551086634   整理番号：18A0190820

AlN及びGaN核形成層を用いて成長させたとサファイア基板上に作製したAlGaN/GaNH EMTの比較【Powered by NICT】

Comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown and fabricated on sapphire substrate with AIN and GaN nucleation layers

著者 (10件)： Gao N. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Fang Y. L. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Yin J. Y. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Wang B. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Guo Y. M. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  He Z. Z. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Gu G. D. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Guo H. Y. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Feng Z. H. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China) ,  Cai S. J. (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit, Hebei Semiconductor Research Institute, NO. 113, Hezuo Road, Shijiazhuang, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SSLChina: IFWS  ページ： 195-199  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNとGaN核形成層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造材料とH EMTはそれぞれサファイア基板上に成長させ,作製した。AlN核形成層を持つAlGaN/GaNヘテロ構造材料をXRDオメガスキャン測定によって検証しGaN核形成層をもつ試料よりも低い転位密度を示した。AlN核形成層を持つ試料中の酸素不純物はSIMSプロファイルにより証明された低い濃度を示した。AlN核形成層を持つAlGaN/GaNヘテロ構造材料の低い転位密度と酸素不純物濃度は,より優れたデバイス性能をもたらす。AlN核形成層を持つAlGaN/GaNH EMTデバイスは,GaN核形成層を持つものより三桁低い漏れ電流を示した。パルスI-V特性は緩衝液中のトラップは,AlN核形成層を持つデバイスにあまり影響しないことを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  不純物濃度 ,  *窒化ガリウム ,  不純物 ,  パルス ,  *形成層 ,  転位密度 ,  酸素 ,  X線回折 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlN ,  GaN ,  核 ,  形成層 ,  成長 ,  サファイア基板 ,  作製 ,  AlGaN ,  EMT