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J-GLOBAL ID：201802223733365425   整理番号：18A0062115

陰極ルミネセンスによる単一GaAsナノワイヤ中のn型ドーピングレベルの決定

Determination of n-Type Doping Level in Single GaAs Nanowires by Cathodoluminescence

著者 (16件)： CHEN Hung-Ling (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  HIMWAS Chalermchai (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  SCACCABAROZZI Andrea (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  SCACCABAROZZI Andrea (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA) ,  RALE Pierre (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  OEHLER Fabrice (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  LEMAITRE Aristide (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  LOMBEZ Laurent (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA) ,  LOMBEZ Laurent (ChimieParisTech, Chatou, FRA) ,  GUILLEMOLES Jean-Francois (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA) ,  GUILLEMOLES Jean-Francois (ChimieParisTech, Chatou, FRA) ,  TCHERNYCHEVA Maria (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  HARMAND Jean-Christophe (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  CATTONI Andrea (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  COLLIN Stephane (Univ. Paris-Sud/Paris-Saclay, Marcoussis, FRA) ,  COLLIN Stephane (Inst. Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), Antony, FRA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 11  ページ： 6667-6675  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiドープしたGaAsナノワイヤの陰極ルミネセンス(CL)を測定してドーピングレベルを決定した。Hall測定でドーピングレベルが既知であるSiドープGaAs層のCLスペクトルと比較してドーピングレベルを決定した。伝導帯における電子の占有,バンドギャップ狭まりやバンドの尾を考慮して全体スペクトルに一般化Planck則を適用した。電子のFermi準位を用いて自由電子濃度とドーピングレベルを推定した。CLを用いる方法はキャリア濃度の空間的不均一性のマッピングもできる。

シソーラス用語： 陰極線ルミネセンス ,  ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  ケイ素 ,  ドーパント ,  黒体放射
準シソーラス用語： 陰極ルミネセンス ,  半導体ナノワイヤ ,  *半導体ヒ化ガリウム ,  *n型ドーピング ,  キャリア濃度 ,  黒体輻射

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陰極ルミネセンス ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  n型ドーピング