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J-GLOBAL ID：201802223830554279   整理番号：18A0481401

本質的に領域選択熱線はタングステン膜の原子層堆積【Powered by NICT】

Inherently area-selective hot-wire assisted atomic layer deposition of tungsten films

著者 (4件)： Yang Mengdi (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Aarnink Antonius A.I. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Schmitz Jurriaan (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands) ,  Kovalgin Alexey Y. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, The Netherlands)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 649  ページ： 17-23  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホットワイヤ支援原子層堆積(HWALD)によるタングステン(W)膜の領域選択成長を実証した。この最近開発された技術を用いて,低抵抗率アルファ相W膜は275°Cの基板温度で原子状水素(H)とWF_6の逐次パルスを用いて堆積することができた。本論文で報告したように,堆積は高度に選択的であった。HWALDタングステンはW,Co,Si表面上の培養時間にほとんど成長しなかった。一方,成長は,TiN,Al_2O_3とSiO_2表面上で観察されなかった。Wと種々の基板の界面を透過型電子顕微鏡により調べた。界面における酸素の欠如は,水素原子はWに適したA LD前駆体として働くだけでなく,ここでA LDプロセス条件でのW及びCoの自然酸化物を効果的に減少させることが示され,堆積順序を開始する前に,その場表面調製を可能にすることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 選択成長 ,  α相 ,  前駆体 ,  基板温度 ,  界面 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *タングステン ,  酸素
準シソーラス用語： 自然酸化物 ,  水素原子 ,  窒化チタン ,  原子状水素 ,  ホットワイヤ ,  *ALCVD ,  *熱線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱線原子層堆積 ,  本質的に選択成長 ,  タングステン ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱線 ,  タングステン ,  原子層堆積