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J-GLOBAL ID：201802223852655539   整理番号：18A0160716

相変化メモリのための磁束-電荷メモリスタモデル【Powered by NICT】

Flux-Charge Memristor Model for Phase Change Memory

著者 (3件)： Secco Jacopo (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Corinto Fernando (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Turin, Italy) ,  Sebastian Abu (IBM Research-Zurich, Zuerich, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 65  号： 1  ページ： 111-114  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリ(PCM)は最も有望な不揮発性メモリ技術の一つであり,ストレージクラスメモリと新しいVon Neumann計算システムのような領域での応用を見つけることである。強力な物理ベースモデルは,これらのデバイスのために開発されてきたが,これらの要素を記述する簡単で正確な回路モデルの欠如である。本短報では,この電荷とフラックスのような電気的変数に基づく単純で信頼性のある回路モデルを得るためにメムリスタ理論を利用した。このモデルは,90nm技術ノードで作製したPCMデバイスの実験的測定に基づいている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算機システム ,  不揮発性メモリ ,  信頼性 ,  *磁束 ,  *電荷 ,  回路モデル
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  磁束 ,  電荷 ,  メモリスタ ,  モデル