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J-GLOBAL ID：201802223918682901   整理番号：18A1679519

Al2O3ゲート誘電体を用いた酸化亜鉛薄膜トランジスタのホットキャリア応力研究【JST・京大機械翻訳】

Hot Carrier Stress Investigation of Zinc Oxide Thin Film Transistors with an Al2O3 Gate Dielectric

著者 (4件)： Rodriguez-Davila Rodolfo A. (Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080) ,  Mejia Israel (Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080) ,  Quevedo-Lopez Manuel (Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080) ,  Young Chadwin D. (Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, 75080)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるPLD ZnOまたはALD Al2O3堆積パラメータを有するZnO薄膜トランジスタ(TFT)上で,ゲートとドレイン電圧を同時にストレスしたホットキャリア応力を実行した。20mTorrのZnO膜と比較して,30mTorrの試料がより大きな閾値電圧シフトと相互コンダクタンス(g_m)劣化を有するとき,閾値電圧と相互コンダクタンスをモニターした。400°C形成ガス焼なましの有無による試料では,アニール試料でより大きな劣化が見られ,400°Cが非常に攻撃的である可能性があることを示した。g_m分解(すなわち,界面劣化)とΔV_tの間の相関は,界面領域で発生した電気的に活性な欠陥からのVtシフトに影響があることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲート絶縁膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *ホットキャリア ,  焼なまし ,  *薄膜トランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  界面 ,  アルミナ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  閾値電圧シフト ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  ホットキャリア ,  応力 ,  研究