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J-GLOBAL ID：201802223967039416   整理番号：18A0968240

高分子絶縁体における誘導電荷によるカーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおけるキャリア極性エンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Carrier polarity engineering in carbon nanotube field-effect transistors by induced charges in polymer insulator

著者 (8件)： Aikawa Shinya (Research Institute for Science and Technology, Kogakuin University, Hachioji, Tokyo 192-0015, Japan) ,  Kim Sungjin (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Thurakitseree Theerapol (Program in Applied Physics, Faculty of Science, Maejo University, Chiang Mai 50290, Thailand) ,  Einarsson Erik (Department of Electrical Engineering, Department of Materials Design and Innovation, University at Buffalo, Buffalo, New York 14260, USA) ,  Inoue Taiki (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Chiashi Shohei (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Tsukagoshi Kazuhito (WPI Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Maruyama Shigeo (Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 1  ページ： 013501-013501-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)における電気伝導型はポリビニルアルコール(PVA)絶縁体における誘起電荷により変換できることを示した。CNTチャネルが純粋なPVAで被覆されると,FET特性は単極性p型から両極性に明確に変化する。PVAへのアンモニウムイオン(NH4+)の添加は,単極n型伝導への更なる変換をもたらした。静電容量-電圧特性は,高密度の正電荷がPVA/SiO_2界面とバルクPVA内で誘起されることを示した。電子は正電荷の存在によりCNTチャネルに静電的に蓄積され,その結果,周囲条件下でさえも,PVA被覆CNT-FETの安定なn型伝導が観察された。伝導型の変換機構は,PVA中の大量の正電荷による静電ドーピングであると考えられる。Raman Gバンドピークの青方偏移が,NH4+ドープPVAで被覆されたCNTで観察され,これは単極n型CNT-FET挙動に対応した。これらの結果は,CNT-FETにおけるキャリア極性工学が帯電したPVA不動態化層で達成できることを確認した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  不動態化 ,  チャネル ,  *極性 ,  *電荷 ,  静電容量 ,  アンモニウムイオン ,  界面 ,  青方偏移 ,  *絶縁体 ,  電気伝導 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 正電荷 ,  両極性 ,  *CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高分子 ,  絶縁体 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  キャリア ,  極性 ,  エンジニアリング