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J-GLOBAL ID：201802224315815532   整理番号：18A0917674

対向ターゲットスパッタリングにより堆積された真性水素化非晶質シリコンパッシベーション層の特性に及ぼすRF電力の影響

Effect of RF power on the properties of intrinsic hydrogenated amorphous silicon passivation layer deposited by facing target sputtering

著者 (4件)： SHIRATORI Yuta (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ZULKIFLY Faris Akira Bin Mohd (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKADA Kazuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 3  ページ： 031301.1-031301.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,対向ターゲットスパッタリング(FTS)により,シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池用の高品質真性水素化アモルファスシリコン(i-a-Si:H)パッシベーション層の堆積を実証した。FTSのRFパワーは,i-a-Si:Hの電気的特性およびi-a-Si:H/結晶シリコン界面におけるパッシベーション品質に大きく影響した。7.0cm/sの低い表面再結合速度と4.0nm/分の比較的高い堆積速度が,最適なRF電力で同時に達成された。この結果は,SHJ太陽電池のSiH₄フリー製造プロセスとしてのFTSの可能性を示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  *アモルファスシリコン ,  *不動態化 ,  ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  電気的性質 ,  ケイ素 ,  キャリア再結合 ,  シラン
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  パッシベーション ,  モノシラン ,  結晶シリコン ,  *水素化アモルファスシリコン ,  表面再結合

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (39件)：

• K. Yoshikawa, H. Kawasaki, W. Yoshida, T. Irie, K. Konishi, K. Nakano, T. Uto, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, and K. Yamamoto, Nat. Energy 2, 17032 (2017).
• M. Taguchi, A. Yano, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K. Fujita, and E. Maruyama, IEEE J. Photovoltaics 4, 96 (2014).
• M. Schaper, J. Schmidt, H. Plagwitz, and R. Brendel, Prog. Photovoltaics 13, 381 (2005).
• S. Olibet, E. Vallat-Sauvain, and C. Ballif, Phys. Rev. B 76, 035326 (2007).
• A. Descoeudres, Z. C. Holman, L. Barraud, S. Morel, S. De Wolf, and C. Ballif, IEEE J. Photovoltaics 3, 83 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： ターゲット ,  スパッタリング ,  堆積 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  パッシベーション層 ,  RF電力