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J-GLOBAL ID：201802224338958809   整理番号：18A1994901

窒素イオンビーム注入による埋め込みシリコンオン絶縁層を有するシリコン太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Silicon Solar Cells with Embedded Silicon-on-Insulation Layer via Nitrogen Ion Beam Implantation

著者 (4件)： Sahu Rajkumar (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 54896, South Korea) ,  Palei Srikanta (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 54896, South Korea) ,  Mun Jonghun (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 54896, South Korea) ,  Kim Keunjoo (Department of Mechanical Engineering and Research Center of Industrial Technology, Chonbuk National University, Jeonju 54896, South Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 20  ページ： e1701018  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,窒素イオンビーム注入により得られた埋め込まれたシリコン-オン-絶縁層を有するシリコン太陽電池を研究した。埋め込まれた層はシリコン太陽電池の少数キャリアブロッキング層として作用し,シリコン-オン-絶縁層の形成による表面からのキャリア再結合の抑制をもたらす。これは,シリコンとのバンドオフセット非対称性を持つキャリア還元層として窒素イオン注入を統合することによって達成される。注入はSi表面上に非晶質層を形成することにより表面欠陥の形成を伴う。エレクトロルミネセンス画像は,高エネルギー窒素イオン注入に関連する欠陥が低エネルギー注入窒素イオンと比較して発光機構に関与することを示した。電流-電圧解析から,窒素イオン注入セルの変換効率は参照セルより低いが,低エネルギー窒素イオンを注入したセルは短絡電流密度を高めることが分かった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア再結合 ,  少数キャリア ,  電圧 ,  非晶質 ,  *ケイ素 ,  バンドオフセット ,  *窒素 ,  イオン注入 ,  電流 ,  エレクトロルミネセンス ,  発光
準シソーラス用語： 変換効率 ,  低エネルギー ,  *シリコン太陽電池 ,  *窒素イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： キャリア寿命 ,  結晶欠陥 ,  窒素イオン注入 ,  シリコン太陽電池 ,  シリコンオンインシュレータ技術

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素イオン ,  ビーム ,  注入 ,  埋め込み ,  絶縁層 ,  シリコン太陽電池