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J-GLOBAL ID：201802224470983102   整理番号：18A0968783

ソフト誘電体の電場誘起表面不安定性と光透過率および散乱に対するそれらの効果【JST・京大機械翻訳】

Electric-field induced surface instabilities of soft dielectrics and their effects on optical transmittance and scattering

著者 (3件)： Shian Samuel (John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  Kjeer Peter (John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  Clarke David R. (John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 11  ページ： 113105-113105-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITO被覆ガラス基板に付着した滑らかなエラストマ二分子層上のカーボンナノチューブ(CNT)の浸透性,機械的に準拠アントなマットに電圧を印加すると,インライン光透過率は電圧の増加と共に減少する。光散乱,明視野光学顕微鏡,共焦点光学顕微鏡に基づいて,二つの挙動を同定した。低磁場領域では,電場は光屈折の局所的変化を引き起こし,光透過率を変調するエラストマの空間的に不均一な表面変形を生じる。空間変化は表面上のCNTsの分布と関連している。より高い磁場では,しきい値電圧以上で,核形成と成長機構により表面にピットのアレイが形成され,これらは光を散乱する。エラストマの厚さにおけるピットとしわの形成は,以前に同定された電気機械的表面不安定性によるものである。印加電圧を最大から減少させると,透過率ヒステリシスと複雑な時間応答があるが,透過率は元の値に戻る。印加電圧がしきい値電圧を超えると,エラストマのしわに関連した残留光学コントラストが存在し,回復時間はピットが形成された領域におけるCNTの局所的ジャミングに依存するように見える。本研究の電気的に調整可能なプライバシー窓またはカモフラージング素子としての応用の可能性を示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電場 ,  *誘電体 ,  被覆 ,  光学顕微鏡 ,  *透過率 ,  ヒステリシス ,  *不安定性 ,  コントラスト ,  核形成 ,  電圧 ,  光散乱
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  閾値電圧 ,  エラストマ ,  *光透過率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： ネマチック相  (BK03020W) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソフト ,  誘電体 ,  電場 ,  誘起 ,  不安定性 ,  光透過率 ,  散乱