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J-GLOBAL ID：201802224533373599   整理番号：18A1565181

トライボケミカル研磨による単結晶GaN基板の平坦化

著者 (2件)： 岩切明貴 (熊本大 大学院) ,  久保田章亀 (熊本大 大学院)
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.S1310206  発行年： 2017年09月02日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,次世代パワー半導体材料として窒化ガリウム(GaN)が期待されている。しかしながら,GaNは難加工材料の1つとして知られている。そのようなGaNに対する高精度かつ高能率な加工法を実現するために,われわれは,大気環境下でのトライボケミカル反応を利用した研磨法を提案した。本研究では,サファイア,合成石英,ホウケイ酸ガラス,ソーダ石灰ガラスの組成の異なる4種類の研磨定盤を用いて提案手法を適用した。また,加工能率および表面評価の測定には走査型白色干渉顕微鏡(SWLI)および原子間力顕微鏡(AFM)を用いた。その結果,能率,表面精度の両観点から本提案手法における研磨定盤としては,今回使用した4種類の研磨定盤の中ではソーダ石灰ガラスが最も有効であると結論づけた。ソーダ石灰ガラスを定盤として使用した時の加工能率は1746nm/hであり,表面粗さRaは加工前が0.375nmであったのに対して,加工後は0.063nmと大きく面粗さが改善された。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *基板 ,  *改変 ,  研磨 ,  *化学機械研磨 ,  ソーダ石灰ガラス ,  *表面粗さ
準シソーラス用語： *平坦化 ,  機械的化学研磨

分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 研磨 ,  単結晶 ,  GaN ,  平坦化