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J-GLOBAL ID：201802224795451554   整理番号：18A0931477

層状ナノシートにおける巨大および線形圧電-光トロニック応答【JST・京大機械翻訳】

Giant and Linear Piezo-Phototronic Response in Layered GaSe Nanosheets

著者 (25件)： Jia Tanhua (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Jia Tanhua (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Fuh Huei-Ru (Department of Chemical Engineering & Material Science, Yuan Ze University, Taiwan) ,  Fuh Huei-Ru (Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Chen Dengyun (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Chen Dengyun (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Abid Mohamed (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Abid Mohamed (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Abid Mourad (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Abid Mourad (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Zhang Duan (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Zhang Duan (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Sarker Anas B. (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Sarker Anas B. (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Cho Jiung (Western Seoul Center, Korea Basic Science Institute, Seoul, 03579, Republic of Korea) ,  Choi Miri (Chuncheon Center, Korea Basic Science Institute, Chuncheon, 24341, Republic of Korea) ,  Chun Byong Sun (Division of Industrial Metrology, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Republic of Korea) ,  Xu Hongjun (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Xu Hongjun (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  O Coileain Cormac (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  O Coileain Cormac (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Liu Huajun (Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, P. R. China) ,  Chang Ching-Ray (Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Wu Han-Chun (Beijing Key Lab of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China) ,  Wu Han-Chun (Micro-nano Center, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, P. R. China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 4  ページ： e1700447  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電気的性質が機械的刺激により直接影響される圧電-光電子デバイスは,ウェアラブルデバイスおよびヒューマンマシンインターフェースにおける応用に対して非常に望ましい。ここでは,興味ある圧電,光励起,および半導体特性を持つ層状金属-モノカルコゲナイドIII-VI半導体,GaSeナノシートの圧電および圧電-光電子特性を調べた。GaSeにおける巨大圧電-光電子応答を初めて実証した。バンドギャップ変調による面外局所場は電子(正孔)を駆動し,しわの外側(内部)表面に向かって移動する。これは電子-正孔対生成と関連光電流を増強する。さらに,GaSeの手動曲げは室温で50倍以上の光電流を確実に増強した。優れた伸縮性と組み合わせたこの巨大で線形の圧電-光電子応答は,GaSeが柔軟なオプトエレクトロニクス-機械的応用のための価値ある材料であることを示唆する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対生成 ,  半導体 ,  光ルミネセンス ,  オプトエレクトロニクス ,  光電流 ,  *ナノシート ,  光ポンピング ,  *圧電気 ,  バンドギャップ ,  *線形性 ,  光電子 ,  正孔
準シソーラス用語： 伸縮性 ,  GaSe ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 柔軟なオプトエレクトロニクス ,  gase ,  光ルミネセンス ,  ピエゾ光学 ,  歪勾配

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層状 ,  ナノシート ,  線形 ,  圧電 ,  応答