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J-GLOBAL ID：201802224832778434   整理番号：18A1806644

SiO_2ゲート絶縁体とZrベースのOhm接触を有するドープ障壁Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.40Ga_0.60N MOSHFET【JST・京大機械翻訳】

Doped Barrier Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.40Ga_0.60N MOSHFET With SiO₂ Gate-Insulator and Zr-Based Ohmic Contacts

著者 (8件)： Hu Xuhong (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Hwang Seongmo (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Hussain Kamal (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Floyd Richard (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Mollah Shahab (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Asif Fatima (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Simin Grigory (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Khan Asif (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 10  ページ： 1568-1571  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2ゲート絶縁体を有するAl_0.65Ga_0.35N-Al_0.4Ga_0.6N金属-酸化物-半導体-ヘテロ接合-電界効果トランジスタ(MOSHFET)を報告した。AlGaNチャネルMOSHFFETのこの最初の実証のために,新しいドープ障壁エピ層設計は,1.64Ωmmの低い接触抵抗をもつZr基金属スタックにより形成された線形ソース-ドレインOhm接触をもたらした。6μmソースを持つデバイスに対して,0.6A/mmの記録飽和電流(6Vのゲートバイアスで)を測定した。通常のSchottkyゲートHFETと対照的に,パルスプラズマ増強化学蒸着からのゲート酸化物は,しきい値電圧の1.5Vシフトだけで,MOSHFFETゲート漏れ電流を10~4倍減少させた。430cm~2/Vsのドリフト移動度をゼロゲートバイアスで測定し,閾値電圧に近い800cm~2/Vに増加した。250°Cまでの素子特性を用いてドリフト移動度の温度依存性を計算した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  チャネル ,  酸化物 ,  接触抵抗 ,  ヘテロ接合 ,  *ドーピング ,  半導体 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *Ohm接触
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  ゲート漏れ電流 ,  閾値電圧 ,  *HFET ,  ゲートバイアス ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁体 ,  Zr ,  Ohm接触 ,  ドープ ,  障壁 ,  MOSHFET