Hu Xuhong について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Hwang Seongmo について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Hussain Kamal について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Floyd Richard について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Mollah Shahab について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Asif Fatima について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Simin Grigory について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
Khan Asif について
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA について
IEEE Electron Device Letters について
温度依存性 について
チャネル について
酸化物 について
接触抵抗 について
ヘテロ接合 について
ドーピング について
半導体 について
ゲート絶縁膜 について
Ohm接触 について
デバイス特性 について
ゲート漏れ電流 について
閾値電圧 について
HFET について
ゲートバイアス について
エピタキシャル層 について
トランジスタ について
ゲート絶縁体 について
Zr について
Ohm接触 について
ドープ について
障壁 について
MOSHFET について