Xu Guiying について
Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China について
Ren Pan について
Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China について
Lin Tie について
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China について
Wu Xiaofeng について
Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China について
Zhang Yanhua について
Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China について
Niu Sitong について
Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China について
Bailey Trevor P. について
Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA について
Journal of Applied Physics について
半導体 について
キャリア散乱 について
電気伝導率 について
有効質量 について
温度依存性 について
Fermi準位 について
理論モデル について
Seebeck係数 について
温度範囲 について
理論計算 について
散乱係数 について
熱電特性 について
その他の無機化合物の電気伝導 について
熱電特性 について
電気伝導率 について
キャリア について
散乱係数 について
解析 について
応用 について