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J-GLOBAL ID：201802224878346109   整理番号：18A0969203

熱電特性測定に基づく電気伝導率比によるキャリア散乱係数を解析するための機構と応用法【JST・京大機械翻訳】

Mechanism and application method to analyze the carrier scattering factor by electrical conductivity ratio based on thermoelectric property measurement

著者 (7件)： Xu Guiying (Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Ren Pan (Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Lin Tie (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China) ,  Wu Xiaofeng (Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Zhang Yanhua (Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Niu Sitong (Beijing Municipal Key Laboratory of Advanced Energy Materials and Technology, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Bailey Trevor P. (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 1  ページ： 015101-015101-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア散乱因子は半導体の最も重要なパラメータの一つである。本論文では,理論計算と実験結果における電気伝導率σ(T)/σ(T_0=300K)対温度Tの比を比較することにより,キャリア散乱因子を解析するための機構と応用法を提案した。σ(T)/σ(T_0=300K)は,状態有効質量m*の密度が小さい温度範囲で一定と仮定されるとき,キャリア散乱因子にのみ関連することを実証した。したがって,σ(T)/σ(T_0=300K)の比のキャリア散乱因子依存性を用いて,キャリア散乱機構を特定することができた。Bi_0.5Sb_1.5Te_2.7+xSe_0.3を例として,減少したFermiエネルギーの範囲にわたるSeebeck係数に対する理論モデルを用いることはなく,散乱機構の解析結果はユニークであることが分かった。このような観察の背後にある理由は,σ(T)/σ(T_0)の比がある材料に対するキャリア散乱にのみ依存することである。このように,著者らは,キャリア散乱機構に及ぼす縮退の影響を無視することができ,自己無撞着η(T)(減少したFermi準位)の前の散乱機構を推定するために最も単純な理論的Seebeck係数モデルを選択することができた。σ(T)/σ(T_0)に及ぼすm*(T)の温度依存性の影響も検討した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *キャリア散乱 ,  *電気伝導率 ,  有効質量 ,  温度依存性 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 理論モデル ,  Seebeck係数 ,  温度範囲 ,  理論計算 ,  *散乱係数 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱電特性 ,  電気伝導率 ,  キャリア ,  散乱係数 ,  解析 ,  応用