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J-GLOBAL ID：201802225118537241   整理番号：18A2234511

硬X線光電子分光法によるITO/a-Si界面特性の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of ITO/a-Si interface properties by hard X-ray photoemission spectroscopy

著者 (9件)： Nishihara Tappei (Meiji University, Kanagawa, 214-8571, Japan) ,  Kojima Takuto (Meiji University, Kanagawa, 214-8571, Japan) ,  Hiyama Takuya (Meiji University, Kanagawa, 214-8571, Japan) ,  Matsumura Hideki (Japan Institute of Science and Technology, Ishikawa, 923-1211, Japan) ,  Kamioka Takefumi (Toyota Technological Institute, Aichi, 468-8511, Japan) ,  Ohshita Yoshio (Toyota Technological Institute, Aichi, 468-8511, Japan) ,  Yasuno Satoshi (JASRI, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Hirosawa Ichiro (JASRI, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Ogura Atsushi (Meiji University, Kanagawa, 214-8571, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 2170-2172  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硬X線光電子放出分光法(HAXPES)を用いて損傷を調べ,a-Si表面が蒸着中のエネルギー酸素雰囲気により酸化されることを見出した。通常および先進スパッタに対して,ITO/a-Si界面におけるSiOピーク強度は堆積後アニーリングによって変化しなかったが,RPDに対してはピーク強度は減少した。O 1sとIn 3dスペクトルから,ITO/a-Si界面の酸素がITO中の酸素欠損に移動すると考えられる。また,損傷した酸化物は堆積後のアニーリング過程によって部分的に回復することも確認した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硬X線 ,  *界面 ,  焼なまし ,  蒸着 ,  酸化物 ,  光電子放出 ,  酸素
準シソーラス用語： 酸素欠陥 ,  ピーク強度 ,  一酸化ケイ素 ,  酸素雰囲気 ,  界面特性 ,  硬X線光電子分光 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硬X線光電子分光 ,  ITO ,  Si ,  界面特性 ,  評価