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J-GLOBAL ID：201802225147827454   整理番号：18A0091753

蓄積電荷測定を用いたポリ-3(ヘキシルチオフェン)/金属界面における正孔注入障壁の推定【Powered by NICT】

Estimation of hole injection barrier at the poly-3(hexylthiophene)/metal interface using accumulated charge measurement

著者 (6件)： Tajima Hiroyuki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Yasukawa Naoto (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Nakatani Hisaki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Sato Seiichi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Kadoya Tomofumi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan) ,  Yamada Jun-ichi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, 3-2-1 Kohto, Kamigori-cho, Ako-gun, Hyogo 678-1297, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 51  ページ： 162-167  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位置規則性ポリ3(3-ヘキシルチオフェン)(RR-P3HT)/金属(CuまたはAg)界面における正孔注入障壁は蓄積電荷測定(A CM)を用いて調べた。55°CでのRR-P3HTの熱アニーリングは,注入障壁を低下させた。N_2中でアニールした熱RR-P3HTはCuとAgとSchottky接触とOhm接触を形成した。注入障壁,φ_Bの得られた値は,Mott-Schottky則,すなわち,φ_B=IE-W_M′により良く表わされて,IEはRR-P3HTとW_M′のイオン化エネルギーは,空気中で金属電極の仕事関数である。,超高真空下で行ったUPS研究で報告された,大型真空準位シフトの効果は認められなかった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電荷 ,  仕事関数 ,  Ohm接触 ,  イオン化ポテンシャル ,  銅 ,  *界面 ,  銀 ,  超高真空 ,  金属電極 ,  Schottky接触 ,  熱アニーリング ,  位置規則性 ,  *正孔注入 ,  *電荷測定

著者キーワード (6件)： 注入障壁 ,  蓄積電荷の測定 ,  A CM ,  イオン化エネルギー ,  ポリ(ヘキシルチオフェン) ,  P3HT

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蓄積 ,  電荷測定 ,  界面 ,  正孔注入 ,  障壁 ,  推定