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J-GLOBAL ID：201802225236240678   整理番号：18A2029343

200mm Gesnoi基板上に実現されたサブ10nmフィン幅を持つGeSn p-FinFET 63mV/10,最高のG_m,900μs/μmの最低SS,および275cm2/Vの高磁場μ_effの高電界μ_eff【JST・京大機械翻訳】

GeSn p-FinFETs with Sub-10 nm Fin Width Realized on a 200 mm GeSnOI Substrate: Lowest SS of 63 mV/decade, Highest G_m,int of 900 μS/μm, and High-Field μ_eff of 275 cm²/V・s

著者 (15件)： Lei Dian (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Han Kaizhen (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Lee Kwang Hong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore) ,  Huang Yi-Chiau (Applied Materials Inc., Sunnyvale, California, United States) ,  Wang Wei (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Yadav Sachin (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Kumar Annie (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Wu Ying (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Heliu Huiquan (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Xu Shengqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Kang Yuye (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Li Yang (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Kong Eugene Y.-J. (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore) ,  Tan Chuan Seng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore (NUS), Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI Technology  ページ： 197-198  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最初の200mmのGeSnオン絶縁体(GeSnOI)基板の形成とフィン寸法の正確な制御のための自己制限ディジタルエッチにより可能なサブ10nmのフィン幅(W_Fin)をもつGeSn p-FinFETを報告した。極端にスケールされたGeSnフィンを用いた優れたゲート制御と低い熱収支を持つデバイス作製プロセスを用いて維持された良好なGeSnフィン品質により,63mV/10年のSSが50nmのチャネル長(L_CH)で達成された。さらに,GeSn p-FETに対して,900μS/μm(-0.5VのV_DS)とG_m,10.5のint/S_すわったの記録高いG_m,intを達成した。275cm~2/Vの高い高磁場正孔移動度μ_eff(反転キャリア密度N_inv8,10~12cm-2)も得られた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  エッチング ,  強磁場 ,  キャリア密度 ,  絶縁体 ,  熱収支 ,  *フィン ,  ディジタル方式 ,  品質 ,  *スズ
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  チャネル長 ,  ゲート制御 ,  高電場 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  フィン ,  FinFET ,  SS ,  高磁場 ,  高電界