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J-GLOBAL ID:201802225320972389   整理番号:18A0154563

亜鉛格子間原子ドープしたIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極の電子的および光学的性質に関する研究【Powered by NICT】

Study on the electronic and optical properties of zinc interstitial doped In0.53Ga0.47As (100) β2 (2 × 4) photocathode
著者 (6件):
資料名:
巻: 156  ページ: 866-871  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0251A  ISSN: 0030-4026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ZnドープIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極表面は負の電子親和性(NEA)光電陰極の性能を形成するための重要なプロセスである。本論文では,第一原理計算は,一般化勾配近似(GGA)の範囲内で密度汎関数理論(DFT)に基づいて使用した。In_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極表面の五サイト上にドープした格子間亜鉛の電子的および光学的性質を選択し,研究した。In_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極表面上に亜鉛格子間ドーピングのバンド構造,状態密度,誘電関数と吸収係数を計算した。結果はIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極表面上に亜鉛格子間ドーピングは,エネルギーバンド曲げを作成し,いくつかの新しいエネルギーバンドが生成されることを示した。In_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面に及ぼす亜鉛格子間ドーピングのバンドギャップはすべて狭いになってきている。また亜鉛原子はIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)光電陰極表面の1位での格子間ドーピング,誘電率および吸収係数を研究する場合,NEA光電陰極の形成に有益であった。理論計算と解析は,近赤外材料を設計するための指針を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光物性一般 

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