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J-GLOBAL ID：201802225328063150   整理番号：18A1938142

LED加熱シリコンウエハのオブザーバに基づく温度制御【JST・京大機械翻訳】

Observer-based temperature control of an LED heated silicon wafer

著者 (5件)： Kleindienst Martin (Institute of Automation and Control, Graz University of Technology, 8010 Graz, Austria) ,  Kleindienst Martin (Lam Research AG, 9500 Villach, Austria) ,  Reichhartinger Markus (Institute of Automation and Control, Graz University of Technology, 8010 Graz, Austria) ,  Horn Martin (Institute of Automation and Control, Graz University of Technology, 8010 Graz, Austria) ,  Staudegger Felix (Lam Research AG, 9500 Villach, Austria)
資料名： Journal of Process Control  (Journal of Process Control)
巻： 70  ページ： 96-108  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0388A  ISSN： 0959-1524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハが所望の温度に加熱される半導体急速熱処理(RTP)における重要な問題は,均一なウエハ温度プロファイルを確保することである。これにより,全ウエハ上に広がった製造集積回路(IC)は,等しい測定で処理できることを保証した。本研究では,加熱過程の物理的挙動を捉える数学モデルを提示した。それは,与えられた材料の与えられた領域における温度分布を支配するよく知られた偏微分熱方程式に主に依存する。これに基づいて,制御則としてのオブザーバも提案した。これは従来のRTP戦略よりも優れている。このアプローチを,異なるウエハタイプの実世界暖房システムで実際に検証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  制御則 ,  熱伝導方程式 ,  温度分布 ,  RTA【熱処理】 ,  半導体 ,  *温度制御 ,  微分 ,  数学モデル
準シソーラス用語： 暖房システム ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： プロセス制御 ,  システムモデリング ,  推定とフィルタリング ,  急速熱処理

分類 (3件)： 熱交換器,冷却器  (PA03020G) ,  反応装置  (XE01030X) ,  蒸留,蒸発  (XD02010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： LED ,  シリコンウエハ ,  オブザーバ ,  温度制御