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J-GLOBAL ID：201802225478378493   整理番号：18A1426874

Ta_2O_5抵抗性アナログ神経形態デバイスにおける抵抗スイッチング挙動の電極材料依存性【JST・京大機械翻訳】

Electrode material dependence of resistive switching behavior in Ta₂O₅ resistive analog neuromorphic device

著者 (4件)： Shima Hisashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Takahashi Makoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Naitoh Yasuhisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Akinaga Hiroyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EDTM  ページ： 62-64  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN/TaOx/Ta_2O_5/TiN抵抗性アナログ神経形態素子(RAND)において,高速アナログ抵抗スイッチング特性を実証した。TiN電極の導入はDCとパルス電圧による抵抗スイッチング過程の不連続性を平滑化した。一方,TiN/TaO_x/Ta_2O_5/Ptデバイスでは,ディジタル抵抗スイッチングが支配的であった。酸素との電極反応性がアナログ抵抗スイッチングに重要な役割を果たすと推論した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  高速度 ,  平滑化 ,  *アナログ系 ,  不連続性 ,  ディジタル方式
準シソーラス用語： 電極反応 ,  パルス電圧 ,  窒化チタン ,  スイッチング特性 ,  材料依存性 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗性 ,  アナログ ,  神経 ,  形態 ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  材料依存性