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J-GLOBAL ID：201802225807320090   整理番号：18A0931502

大きな組込み場は双極子構造を持つナノスケール分子デバイスの電子特性を制御する【JST・京大機械翻訳】

Large Built-In Fields Control the Electronic Properties of Nanoscale Molecular Devices with Dipolar Structures

著者 (2件)： Van Dyck Colin (Nanotechnology Research Centre - National Research Council of Canada, University of Alberta, 11421 Saskatchewan Dr NW, Edmonton, AB, T6G 2M9, Canada) ,  Bergren Adam J. (Nanotechnology Research Centre - National Research Council of Canada, University of Alberta, 11421 Saskatchewan Dr NW, Edmonton, AB, T6G 2M9, Canada)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 5  ページ： e1700656  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積分子接合は二つの金属電極間に挟まれた分子層からなるナノスケール材料である。本研究では,これらのシステムの基本的な特性を実証した。典型的には,10~9V・m-1と高い内蔵場の出現と,非対称性を有する任意の接合部に現れやすい。この場は接触分子層における永久双極子に由来し,接合におけるバンド配列の大きなくりこみの原因となる。この効果を説明するために,二つの現実的な金-チオラート系有機層の予測理論的キャラクタリゼーションを行った。内蔵場の出現に導くパラメータを与え,非常に大きなくりこみ効果を印加電圧降下により解釈した。高い重要性にもかかわらず,分子接合のこの一般的特徴は,分子素子特性の設計と解釈においてこれまで広く無視されてきた。組み込まれた場は,双極性ナノメータ構築ブロックを利用することにより,分子接合における構造-特性関係を達成するための強力な方法を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： くりこみ ,  ナノ材料 ,  接合部 ,  *双極子 ,  非対称性 ,  キャラクタリゼーション ,  予測 ,  *分子素子
準シソーラス用語： 構造特性相関 ,  印加電圧 ,  内蔵 ,  金属電極 ,  分子接合 ,  大面積 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 組込みフィールド ,  双極子 ,  Fermi準位整列 ,  分子接合 ,  理論的研究

分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 組込み ,  双極子 ,  ナノスケール ,  分子デバイス ,  電子